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石墨烯等碳材料由于具有高机械强度、实现电导率和导热性等特性,在电子器件的开发中具有潜在用途。c,般业用实验测量的(红点)和DFT计算的能带隙的与平均电位移场(DAV)的关系。
b,AA,AA,电价低1度电达AB和AB堆垛的C3N单层和双层的CBM和VBM的部分电荷密度(俯视图)。均降降幅b,AB叠加的C3N双层在不同固定底栅电压(Vb)下的电阻随顶栅电压(Vt)变化的关系。通过将石墨烯绘制成窄带,累计已经引入了高达400meV的带隙,但制造过程仍面临重大挑战,载流子迁移率大大低于典型的石墨烯。
尽管已经观察到各种二维材料的大量带隙调制,广西工商格平但碳基材料显示出有限的带隙调节。然而,实现形成高度规则的二维(2D)碳氮化合物晶体结构是困难的,这使得大多数合成的碳氮化合物薄膜不适合纳米电子应用。
在FET器件中对C3N双层样品进行了实验,般业用并利用红外显微光谱技术证实了C3N中叠加诱导和电场诱导的带隙调制。
文献链接:电价低1度电达Bandgapengineeringoftwo-dimensionalC3Nbilayers,NatureElectronics,2021,DOI:10.1038/s41928-021-00602-z.本文由纳米小白供稿。这项工作表明,均降降幅操纵各种各向异性形状的纳米结构的磁相互作用可以打破传统熵主导的胶体组装系统中致密堆积相的限制,均降降幅从而打开创造许多复杂胶体晶体的大门。
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实现(c)左图:胶体分散体中胶体晶体的光学显微镜图像。般业用(e)组装过程中磁性纳米棒的轨迹。